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半导体器件

开发技术 开发技术 3周前 (09-05) 20次浏览

半导体笔记

半导体器件

  1. 肖特基势垒和欧姆接触

    肖特基势垒:当两种材料接触时,由于两种材料的费米能级位置不同,接触后必须两侧的费米能级一致,接触面的真空能级相同。载流子扩散流动必须使接触面两侧的费米能级相等才能达到平衡状态。所以接触后半导体的能带因内建电场而弯曲,这样接触面形成了电子的势垒,称为肖特基势垒,形成整流节。肖特基二极管整流接触)就是利用这原理工作。

    解决方法:金属与半导体接触面出现肖特基势垒,但是我们不希望出现该势垒。理论上有两种方式:1.降低势垒高度,这样载流子不需要很高的能量即可越过势垒。2. 减少势垒宽度,使载流子以隧穿的方式穿过。

    半导体器件
    肖特基势垒


    2. 欧姆接触

**欧姆接触 **:接触电阻很小。具有线性的和对称的电流-电压关系

制作方法:用__重掺杂的半导体__与金属接触。



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